化學位移？化學位移是因原子內層電子結合能的變化而引起電子能譜圖上譜峰位置的移動。不同的化學環境主要指原子價態的變化、與不同電食性的原子或原子團相結合等。這些因素會造成原子核內電荷和核外電荷的分布發生變化，那么，化學位移？一起來了解一下吧。
化學位移中數字越大是低場，不是高場。因為低場矢量為0的分力越小，而分力越小，越容易產生位移，所以化學位移中數字越大是低場。
核磁共振中，化學位移本身是有單位的，其單位是Hz，之所以最終沒有單位，是因為我們常說的化學位移指的是化學相對位移。例如，當使用200MHz的NMR時，某個位移值為200Hz，這時就采用相對位移，用200Hz去除以200MHz，得到的是百萬分之一，也就是1ppm；
之所以這么表示是因為，位移值會隨著機器的不同而改變，例如，在400MHz的NMR下，位移值是400Hz，只是相對位移不變，仍然是1ppm
由于有機分子中各種質子受到不同程度的屏蔽效應，因此在核磁共振譜的不同位置上出現吸收峰。
某一物質吸收峰的位置與標準質子吸收峰位置之間的差異稱為該物質的化學位移（chemicalshift），常以δ表示。
擴展資料：
化學位移的差別約為百萬分之十，難以精確測得數值。現采用相對數值表示法，即選用一個標準物質，以該標準物的共振吸收峰所處位置為零點，其它吸收峰的化學位移值根據這些吸收峰的位置與零點的距離來確定。最常用的標準物質是四甲基硅TMS(tetramethylsilicon)。
化學位移是NMR（核磁共振波譜）的術語。 表征在不同化學環境下的不同 H-1, C-13, P-31, N-15等元素在波譜上出現的位置。
就外部因素來說， 氘代溶劑對化學位移有一定影響， 如用氘代氯仿和氘代DMSO會導致同一H或C 的化學位移有變化， 但不是很大。
影響化學位移的主要因素是所測元素周圍的化學環境。 例如烯烴上的H或C的化學位移比飽和烷烴的H或C的化學位移要大的多， 即在低場出現。
更具體和詳細的內容請參考有關的波譜專著。
化學位移：產生共振吸收峰的位移。
在有機化合物中，處在不同結構和位置上的各種氫核周圍的電子云密度不同，導致共振頻率有差異，即產生共振吸收峰的位移，稱為化學位移。
影響因素包括以下：
1. 電負性
2. 各向異性效應
3. 氫鍵
4. 溶劑效應
5. 范德華效應
拓展資料：
產生原因：
核周圍電子產生的感應磁場對外加磁場的抵消作用稱為屏蔽效應。核周圍的電子屏蔽效應是化學位移產生的主要原因。通常氫核周圍的電子云密度越大，屏蔽效應也越大，從而需要在更高的磁場強度中才能發生核磁共振和出現吸收峰。
參考資料：
百度百科化學位移
由于有機分子中各種質子受到不同程度的屏蔽效應，因此在核磁共振譜的不同位置上出現吸收峰，某一物質吸收峰的位置與標準質子吸收峰位置之間的差異稱為該物質的化學位移，常以δ表示。
在外磁場的作用下，核外電子會產生方向相反的感應磁場，即屏蔽作用，使原子核實際感受到的磁場強度減弱，共振頻率隨之改變。
由于核所處的化學環境不同，導致核周圍電子云密度不同所引起的共振吸收峰的位移現象稱為化學位移。
影響化學位移的因素主要是核周圍的化學環境(分子的結構)不同產生的誘導效應、共軛效應、磁各向異性效應、氫鍵作用和溶劑效應等因素。
化學位移絕對值的差別很小，要精確測量難度很大，所以需要選定一個標準物質，將其核磁共振吸收峰的位置定為零，采用相對數值表示法來表示化合物吸收峰的位置。
化學位移是核磁共振中的一種術語，是化學環境所引起的核磁共振信號位置的變化，具體是用數字來進行表達（相對的，通常使用四甲基硅烷作為基準）。如果你是大學生，有空去幫師兄師姐做做實驗你就會很了解，核磁共振是化合物結構解析的常用手段。
影響因素可以表示為
內因：有吸電子基團的向低場移動（因為屏蔽作用減少，弛豫所需的外磁場強度可以不用很高）；共軛效應的向低場移動(如苯環上的H向低場移動)；還有就是各向異構引起的，比如苯環的上方空間（不是苯環上）的H向高產移動，三鍵的鍵方向的向高產移動，雙建上方的H向高產移動。這些有機化學的課本上都有，注意分類，別弄混淆。
外因：溶劑，溫度（低溫的時候有的單峰肯能會列分成雙峰，如DMF的）
以上就是化學位移的全部內容，化學位移是NMR（核磁共振波譜）的術語。 表征在不同化學環境下的不同 H-1, C-13, P-31, N-15等元素在波譜上出現的位置。就外部因素來說， 氘代溶劑對化學位移有一定影響。
